日前，山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸(300mm)高純半絕緣碳化硅單晶襯底，屬全球首發(fā)。同期，還研制成功12英寸(300mm)N型碳化硅單晶襯底。
爍科晶體位于山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)瀟河新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)，是國內(nèi)從事第三代半導(dǎo)體材料碳化硅生產(chǎn)和研發(fā)的領(lǐng)軍企業(yè)。近年來，該企業(yè)通過自主創(chuàng)新和自主研發(fā)，全面掌握了碳化硅生長裝備制造、高純碳化硅粉料制備工藝，在國內(nèi)率先完成高純半絕緣碳化硅單晶襯底關(guān)鍵工藝技術(shù)攻關(guān)，先后攻克了大尺寸擴(kuò)徑工藝和低缺陷N型襯底的生長工藝，擁有碳化硅粉料制備、單晶生長、晶片加工等整套生產(chǎn)線。此次12英寸碳化硅單晶襯底的成功研制，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本，進(jìn)一步提升經(jīng)濟(jì)效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。
（責(zé)編：張凱）
